Electrical Overstress

Elektrisch bedingte Überlastung

Bezeichnet eine elektrisch bedingte Überlastung, durch die elektronische Bauelemente wie z. B. Dioden, ICs und Sensoren thermisch zerstört oder beschädigt werden.

Ein EOS-Ereignis ist von dem Ereignis einer elektrostatischen Entladung (ESD) über die Energiemenge abzugrenzen: ESD-Entladungen sind durch hohe elektrische Spannungen und kurze Entladezeiten im Bereich weniger Mikrosekunden gekennzeichnet, dabei wird aber im Vergleich zu einem EOS wenig Energie umgesetzt. Bei einem EOS-Ereignis, in bestimmten Fällen verbunden mit optisch erkennbaren thermischen Schäden am Chipgehäuse, wird ein Vielfaches der Energiemenge umgesetzt.
EOS-Ereignisse sind durch Überlastungen und ein Überschreiten von elektrischen Grenzwerten, wie der zulässigen maximalen Spannung oder Stromwerte, im regulären Betrieb gekennzeichnet.

• Ein EOS-Ereignis ist von dem Ereignis einer elektrostatischen Entladung (ESD) über die Energiemenge abzugrenzen: ESD-Entladungen sind durch hohe elektrische Spannungen und kurze Entladezeite